Дом
Продукты
О нас
Путешествие фабрики
Проверка качества
Свяжитесь мы
Отправить запрос
Главная страница Продукциятранзистор силы mosfet

Транзистор силы ЛДМОС МОСФЭТ НЭ5550979А 7.5В 200мА 900МХз 22дБ 38.6дБм 79А

Транзистор силы ЛДМОС МОСФЭТ НЭ5550979А 7.5В 200мА 900МХз 22дБ 38.6дБм 79А

NE5550979A MOSFET Power Transistor LDMOS 7.5V 200mA 900MHz 22dB 38.6dBm 79A
NE5550979A MOSFET Power Transistor LDMOS 7.5V 200mA 900MHz 22dB 38.6dBm 79A

Большие изображения :  Транзистор силы ЛДМОС МОСФЭТ НЭ5550979А 7.5В 200мА 900МХз 22дБ 38.6дБм 79А Лучшая цена

Подробная информация о продукте:
Место происхождения: Япония
Фирменное наименование: RENESAS
Номер модели: НЭ5550979А-Т1-А
Оплата и доставка Условия:
Количество мин заказа: 1 шт
Цена: negotiable
Упаковывая детали: Лента & вьюрок (TR)
Время доставки: 1-2 рабочих дней
Условия оплаты: T/T, Western Union, Paypal
Поставка способности: 98000 ПК
Подробное описание продукта
Высокий свет:

транзистор мосфет канала н

,

транзистор мосфет смд

Транзистор силы ЛДМОС МОСФЭТ НЭ5550979А 7.5В 200мА 900МХз 22дБ 38.6дБм 79А 0Изготовитель РЭНЭСАС
Номер детали изготовителя НЭ5550979А-Т1-А
Описание ФЭТ РФ 30В 900МХЗ 79А-ПКГ
Детальное описание Мосфет ЛДМОС 7.5В 200мА 900МХз 22дБ 38.6дБм 79А РФ
Схемы данных НЭ5550979А
Атрибуты продукта  
Категории Дискретные продукты полупроводника
  Транзисторы - ФЭЦ, МОСФЭЦ - РФ
Изготовитель КЭЛ
Серия -
Упаковка Лента & вьюрок (TR)
Состояние части Устарелый
Тип транзистора ЛДМОС
Частота 900МХз
Увеличение 22дБ
Напряжение тока - тест 7.5В
Настоящая оценка (Ампс)
Диаграмма шума -
Настоящий - тест 200мА
Сила - выход 38.6дБм
Расклассифицированное напряжение тока - 30В
Пакет/случай 79А
Пакет прибора поставщика 79А
Низкопробный номер детали НЭ5550
Классификации экологических & экспорта  
Неэтилированное состояние/состояние РоХС Неэтилированный/РОХС3 уступчивый
Уровень (MSL) чувствительности влаги 1 (неограниченный)
Стандартный пакет 1 000

Контактная информация
G-Resource Electronics Co.,Ltd

Контактное лицо: Jenny

Телефон: 86-15818536604

Оставьте вашу заявку